亨通特高压 赋能新型电力系统

温度的独特分布将抑制生长过程中的气相反应，亨通从而确保获得清洁度得到改善的石墨烯。

d）通过基于乙醇的LPCVD和基于甲烷的APCVD方法，特高统玻璃表面石墨烯薄膜的覆盖度随时间的变化曲线。【图文导读】1、压赋石墨烯在玻璃上生长的技术挑战图1石墨烯生长的示意图Cu（111）（a）和石英玻璃（b）上石墨烯生长的示意图。

在目前阶段，型电玻璃衬底上高质量石墨烯的CVD生长仍存在很多挑战，超级石墨烯玻璃的理论与现实之间仍然存在很大差距。力系f）石墨烯玻璃基触摸屏的线性测试。对于普通玻璃，亨通如钠钙玻璃，其软化点远低于低于石墨烯的生长温度，则发展了熔融床CVD技术。

b，特高统c）使用气流限域CVD（b）和常规APCVD（c）法在生长45分钟后石英玻璃上石墨烯成核的SEM图像。b，压赋c）在没有（b）和有（c）法拉第笼下，300V电压下的PECVD系统中模拟电场的2D分布。

相信随着石墨烯玻璃生长技术的突破，型电在不远的将来超级石墨烯玻璃有望成为石墨烯的撒手锏级应用。

力系等离子体增强CVD（PECVD）技术则可以实现玻璃衬底上石墨烯的低温生长。亨通图13a是结合TENG和光催化材料去除颗粒和VOC的自供电过滤器。

这已经在智能手机、特高统可穿戴产品、微型泵和微流体装置中得到了应用。压赋d）在大气中的Voc以及高真空的TENG。

因此，型电驱动芯片上的液滴的接触角改变会产生移动液滴的驱动力。为了提高TENG的输出电压，力系可以将PTFE膜的两个表面经ICP处理，产生了纳米结构形态（图7b）。